Характеристики оперативной памяти Kingmax DDR 400 DIMM 512 Mb
DDR (Double Data Rate — удвоенная скорость передачи данных) – современный тип оперативной памяти, пришедший на смену SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory — синхронная динамическая память с произвольным доступом). Сейчас память SDRAM считается сильно устаревшей.
На сегодняшний день самым распространенным типом оперативной памяти для ПК является представитель третьего поколения DDR — DDR3.
На смену DDR3 постепенно приходят модули памяти DDR4, но большого распространения они пока не получили из-за высокой стоимости самих планок памяти и материнских плат для них. Теоретическая скорость передачи данных у модулей памяти DDR4 в два раза выше чем у DDR3, но на практике DDR4 пока не сильно выигрывает у DDR3.
DDR — самый первый вид оперативной памяти с удвоенной скоростью передачи данных. Данная технология является устаревшей.
DDR2 — следующее поколение оперативной памяти типа DDR. Может работать на более высокой частоте по сравнению с первой версией DDR.
Совместимость между различными представителями DDR (DDR, DDR2, DDR3, DDR4) отсутствует.
DDR3L — DDR3 с пониженным энергопотреблением (1,35В, вместо 1,5 у стандартных). Совместима с DDR3.
Сейчас иногда еще можно встретить сильно устаревшую память RDRAM.
Форм-фактор
DIMM (Dual In-line Memory Module, двухсторонний модуль памяти) – форм-фактор модуля памяти, пришедший на смену SIMM (Single In-line Memory Module, односторонний модуль памяти). Основным преимуществом DIMM перед SIMM является ускорение передачи данных. DIMM также имеет функцию обнаружения и исправления ошибок, что обеспечивает более надежную передачу данных.
SO-DIMM (или SODIMM), MicroDIMM, MiniDIMM — форм-факторы памяти, используемые в портативных устройствах (ноутбуках, планшетах).
FB-DIMM (Fully Buffered, полностью буферизованный) – серверная оперативная память. Обеспечивает повышенную скорость и точность передачи данных. Несовместима с обычными небуферизованными модулями памяти DIMM.
LRDIMM (load-reduced dual inline memory module, двухсторонний модуль памяти с уменьшенной нагрузкой) – серверная оперативная память, которая устанавливается в дата-центрах и серверах с большой нагрузкой.
RIMM — устаревший форм-фактор модулей памяти для ПК.
Количество модулей памяти
Иногда в комплекте могут продаваться сразу несколько одинаковых модулей памяти.
Размер одного модуля памяти, Мб
Количество памяти на каждом модуле, которая доступна для записи информации.
Тактовая частота, МГц
Тактовая частота показывает какое количество операций может совершить модуль памяти за 1 секунду. Соответственно, чем выше данный показатель, тем память работает быстрее. Для всех моделей памяти DDR: DDR, DDR2, DDR3, DDR4 значение таковой частоты указывается удвоенным.
Дополнительные характеристики
Пропускная способность, Гб/с
Показывает какое количество данных может быть передано или получено за 1 секунду.
Поддержка ECC
EСС (Error Checking and Correction – проверка и исправление ошибок) – это технология, разработанная для нахождения ошибок и их исправления (если ошибок не слишком много). Модули памяти с ECC, как правило, устанавливают на серверах и в дата-центрах, поскольку при небольшой нагрузке (среднестатистического ПК) ошибки практически не возникают. Модули памяти с ECC и без ECC несовместимы.
Буферизованная (Регистровая) память
Буфер (регистр) повышает надежность хранения и передачи информации, но несколько снижает производительность. Буферизованная (регистровая) память устанавливается, как правило, на серверах, поскольку при незначительной нагрузке, такой, как на среднестатистическом ПК буфер только замедляет его работу. Буферизованные и небуферизованные модули памяти несовместимы.
Низкопрофильная
Высота модуля памяти уменьшена до 25мм.
Количество контактов
Количество контактов модуля памяти с гнездом материнской платы.
Число чипов на один модуль памяти
Количество чипов (микросхем), предназначенных для хранения памяти, находящихся на одном модуле.
Напряжение, В
Напряжение, которое требуется для питания модуля памяти. Для совместимости материнская плата должна поддерживать данное напряжение.
Наличие радиатора
Наличие радиатора повышает теплоотведение, препятствуя перегреву оперативной памяти. Его наличие крайне желательно для модулей памяти, работающих на высоких частотах (больше 1333 МГц).
CAS Latency (CL), тактов
CAS-latency (column address strobe latency – задержка на получение столбца) — время ожидания (циклов) между запросом на получение данных из ячейки памяти и временем, когда она начнет считываться. CAS-latency (CL или CAS-задежка) является важной характеристикой быстродействия оперативной памяти. Чем она ниже, тем память работает быстрее. Возможно также дробное значение данного показателя (например: 2.5).
Упаковка чипов
Расположение чипов (микросхем) памяти на планке. Чипы могут располагаться с одной или с двух сторон.
tRCD, тактов
tRCD (RAS to CAS Delay) – задержка (в циклах) между сигналами, определяющими адрес строки (RAS — Row Address Strobe) и адрес столбца CAS (Column Address Strobe). Чем она ниже, тем быстрее работает оперативная память.
tRP, тактов
tRP (Row Address Strobe Precharge Time) — время (в циклах), необходимое для закрытия строки памяти и открытия новой строки. Чем оно меньше, тем быстрее работает модуль памяти.
tRAS, тактов
tRAS (Activate to Precharge Delay) — задержка (в циклах) между командой активации (RAS) и закрытия строки памяти. Чем она меньше, тем быстрее работает модуль памяти.
Количество ранков
Ранк — область памяти, состоящая из всех или только части чипов (микросхем) данного модуля памяти. Некоторые материнские платы (в основном серверные) имеют ограничение на количество ранков, поэтому модули памяти с ранком равным единице ценятся немного больше.
Совместимость
Совместимость с материнскими платами или компьютерами, заявленная производителем данного модуля памяти. Полный список совместимых моделей почти всегда гораздо шире.
ОЗУ DDR-400 256МВ это DDR2 или DDR1?
хотел поставить сверху еще 256 МВ, но не могу определить тип ОЗУ. у меня на данный момент установлен DDR2 1Gb.
Лучший ответ
Это просто DDR. Они бывают DDR 400 МГц (PC-3200), 333 МГц (PC-2700), 266 МГц (PC-2100).
Ну а DDR2 идут уже 667 МГц (PC-5300), 800 МГц (PC-6400), 1066 МГц (PC-8500).
DDR и DDR2 вместе не смогут работать.
Остальные ответы
конечно DDR1 они не могут в паре работать
старушка DDR))))))
Ето DDR 1.
DDR2 и DDR 1 не могут работать вместе.
DDR1 ну или просто DDR
DDR400(3) ЧТО ЭТО простите полный профан
Сам видел платы где стоят пара DDR и DDR2 на одной плате, так, что не дезинформируйте, покапайтест в инете прежде чем говорить, что вместе не работают, просто частота будет как у DDR
Сергей!! Простите, что. Как блин могут работать две абсолютно разные планки RAM. Это не возможно в принципе! Т. к. они отличаются физически, по количеству контактов и размещением ключа. Если вы не знаете лучше не советовать людям и не вводить их в заблуждение!
Поддержу некропостинг 🙂
Незнаю как сергей, но лично я не видел Материнки с поддержкой двух типов памяти DDR1 + DDR2, но язнаю материнки с поддержкой двух типов памяти DDR2 + DDR3 (ASUS P5QC).
Плюс ко всему, есть память DDR2 400 допустим такая Kingston KVR400D2S4R3/2G DDR2 2GB DIMM. Так что надо смотреть на маркировку памяти и спецификацию материнской, что бы выбирать что подойдет.
это DDR1, по разьему шины неподойдет, есть гибридные платы ddr1+ddr2 обычно по 2 шины на каждый тип, но работать может только либо планочки воткнутые ддр1 или только вставленные ддр2, сразу обе функционировать небудут.
Внесу свой вклад в холивар. Да, есть (и были) материнки с разъемами под различный тип памяти. НО! В паре они не работают. Либо то, либо другое. Т. ж. разные типы DDR отличаются количеством контактов и расположением прорезей, поэтому они физически никак не встанут в неродное гнездо.
ддр1 продаже бывают типер
4 месяца прошло, а некропостинга не было давно. Бред про то, что вместе они работать не будут, потому что якобы не влезут «разные типы DDR отличаются количеством контактов и расположением прорезей, поэтому они физически никак не встанут в неродное гнездо.».
В матери могут быть слоты под ddr1+ddr2, вся память в системе будет отображаться, но вся память будет работать на меньшей скорости т. е как ddr1. Если вытащить все планки ddr1, оставить только ddr2 — память, естественно, будет работать с тактовой частотой ddr2
Здесь пишут, что DDR и DDR2 не работают вместе. И эти люди не правы. Если мать поддерживает двухканальный режим, например, то в один канал ставим DDR, а в другой DDR2. Проблем не возникнет, если взять планки с одинаковой частотой на каждый канал.
Сравнительное тестирование 12 модулей DDR400
«Не может этого быть» — подумал я, запуская в очередной раз тест памяти. «Это слишком высокая частота, сейчас будет уйма ошибок». Но модули памяти не разделяли мой скептицизм и продолжали работать, как ни в чем не бывало. Тестирование, обещавшее стать рутинной проверкой, неожиданно превратилось в увлекательную игру, главная роль в которой была отведена мне.
Впрочем, начиналась эта история буднично. Зайдя в компьютерный магазин, я стал свидетелем разговора: покупатель попросил консультанта объяснить, чем память Kingston на чипах Hynix лучше «обычной» Hynix, и не лучше ли взять Samsung. Консультант рассказал про гарантию, про упаковку и тщательный контроль качества на фабриках Kingston и покупатель ушел, полностью удовлетворившись ответом. Но меня этот вопрос заинтересовал, и я решил выяснить, чем же на самом деле отличаются модули DDR400 разных производителей.
Сначала хотелось бы разобраться с характеристиками. Международная организация JEDEC, занимающаяся разработкой стандартов на электронные устройства, уже давно обозначила верхний предел для модулей стандарта DDR — PC3200. За этой чертой простирается территория дорогой и престижной DDR2. Безусловно, новый тип памяти обладает рядом преимуществ, в чем мы уже успели убедиться, протестировав Corsair DDR2-538 XMS2 и Corsair DDR2-675 XMS2, но при всех своих плюсах эта память обладает одним существенным минусом — высокой ценой, которая делает ее недоступной для обычного пользователя.
Большинство пользователей, прочитав статьи про DDR2, поразятся ее частотному потенциалу, и согласятся, что за этой памятью будущее. Но, придя в магазин, все равно остановят свой выбор на DDR400, ибо именно эти модули представляют собой современный mainstream-срез рынка памяти. Они не хватают звезд с неба, не бьют рекордов, но зато работают стабильно на «номинале», обладают разгонным потенциалом и при этом стоят недорого. Обычному пользователю этого будет достаточно. Мы же исследуем разгонный потенциал наиболее популярных модулей DDR400.
Впрочем, уже неоднократно говорилось, что «не все модули одинаково полезны», поэтому нужно учесть, что даже совпадение маркировки не гарантирует совпадение разгонного потенциала. То есть никто не гарантирует, что даже абсолютно идентичный модуль покажет такие же результаты. Ибо не бывает бочки меда без ложки дегтя и стада без паршивой овцы.
- Материнская плата — ASUS A8N-SLI, BIOS 1005.002
- Процессор — AMD Athlon 64 3000+ (Winchester) 1.8Ghz, 1.4v, S939
- Блок питания — Macropower MP-360AR
- Кулер — Zalman CNPS7000A-Cu
Из-за особенностей работы ASUS A8N-SLI с памятью, параметр 1Т/2Т Timing был выставлен в положение 2Т и в процессе тестирования не изменялся. Напряжение на память выставлялось 2,8 В и 3,0 В, но разница в частотном потенциале уложилась в погрешность измерений, потому на диаграммах указывать мы будем лишь одно значение. Для того чтобы процессор не мешал разгону, его множитель был понижен до 8. Проверка стабильности осуществлялась при помощи утилиты Memtest86+ v1.55.
Начать проверку было решено с модулей производства Apacer, и этому есть как минимум две причины. Во-первых, с продукцией данной фирмы мы пока не сталкивались, а во-вторых, если расположить модули по алфавиту в соответствии с названиями фирм-производителей, то именно модули Apacer окажутся в этом списке под первым номером.
Модули ничем особым не выделяются, за исключением надписи на этикетке, сообщающей о том, что память гарантированно работает как PC3200 с CL2.5. Это приятно, так как обычно производители недорогих модулей записывают в SPD значение CL=3, из-за чего пользователи, эксплуатирующие память в номинальном режиме, оказываются в проигрыше по сравнению с теми, кто настраивает память вручную.
Судя по маркировке, чипы были произведены на 8 неделе 2005 года, что примерно соответствует концу февраля. Полностью расшифровать маркировку «AM3A5608BQT — 5A» так и не удалось: производитель по каким-то причинам не предоставляет подобную информацию. Да и на странице с описанием памяти находятся лишь общие сведения.
Посмотрим, что же записано в SPD этих модулей:
Информация на этикетке не обманула: в SPD для частоты 200 МГц действительно указано значение CL2.5 Правда, остальные параметры такого восторга не вызывают: заявленные значения RAS# to CAS# и RAS# Precharge довольно высоки. Впрочем, судить по этим параметрам о разгонном потенциале нельзя. На что способна данная память в действительности мы сейчас и выясним.
Разгонный потенциал модулей не поразил воображения, ведь подсознательно мы ожидали большего, так как они — одни из самых дорогих в нашем сегодняшнем тестировании (около $53 за модуль на конец апреля 2005). Неужели остальные окажутся еще хуже?
Чтобы выяснить, так ли это, мы решили проверить пару модулей производства Hynix.
Они весьма отличаются от предыдущих модулей. Во-первых, они односторонние, то есть все 8 чипов памяти расположены с одной стороны печатной платы. Во-вторых, здесь мы видим толстопленочные резисторы, тогда как на всех остальных модулях резисторы согласования с шиной выполнены в виде дискретных компонентов. Практика показывает, что с ними частотный потенциал обычно несколько выше, но их применение усложняет и делает более дорогим производство.
Маркировка чипов говорит о том, что они были произведены позднее: на 13 неделе 2005 года, что соответствует концу марта — началу апреля. На сайте производителя имеется страница, содержащая подробное описание характеристик этих чипов. Судя по этой информации, чипы относятся к DDR400B (3-3-3) и заявлены для работы на частоте 200 МГц с CL3.
Параметры, записанные в SPD, оптимизма не внушают: значение CL = 2.5 доступно на частоте 166 МГц, а CL2 вообще лишь на 133 МГц. Проверим, являются ли такие значения таймингов излишней перестраховкой.
Как мы видим, производитель памяти явно поскромничал, записав в SPD столь большие значения: модулям покорилась частота 214 МГц с таймингами 2.0-3-3-6. Пределом же оказалась частота 235 МГц, что является довольно хорошим результатом. Хочется лишь добавить, что цена на данные модули относительно невысока (около $48 на конец апреля 2005).
Впрочем, не стоит забывать о довольно популярных «безымянных» модулях. Чем они привлекают своих покупателей? Ответ на данный вопрос очевиден: низкой ценой. Мы же постараемся выяснить, какие еще плюсы есть у подобных модулей. Итак, встречайте:
Честно признаюсь, я не ожидал, что «безымянным» окажется модуль, производитель которого нанес свое имя даже на чипы.
К сожалению, расшифровать маркировку также не удалось, но расстроило это не сильно, ведь важно не то, как тебя зовут, а что ты умеешь! Поэтому не будем задерживаться и пойдем дальше, отметив, что чипы произведены на 11 неделе 2005 года (середина марта).
Тайминги, записанные в SPD, чуть выше тех, что мы видели у Hynix, но тем интереснее будет выяснить разгонный потенциал этих модулей.
Проверка показала, что нам, по всей видимости, попались бракованные модули: они не работали с теми параметрами, которые были записаны в SPD. В этом-то и заключается основной минус подобной «безымянной» памяти: если повезет — модуль будет радовать пользователя стабильной работой еще долгие годы, а если не повезет — не сможет работать даже на номинале. Судя по информации на форумах, брак среди модулей NCP встречается довольно часто, поэтому данная память — не лучший выбор, тем более что стоит она всего лишь на $2 дешевле изделий Hynix. Как говорится, разочарование от низкого качества длится дольше, чем радость от низкой цены.
Теперь от самых дешевых перейдем к самым дорогим модулям нашего сегодняшнего обзора. Ими оказались модули Kingston KVR.
Эти модули, также как и Hynix, являются односторонними, но мы видим, что резисторы выполнены в виде дискретных компонентов.
Чипы памяти также оказались аналогичными тем, что мы видели у Hynix: HY5DU12822BT-D43, выпущенные на 12 неделе 2005 года. Тайминги, записанные в SPD, также не отличались:
Итак, мы видим, что модули Kingston KVR весьма похожи на Hynix: расположение чипов на PCB, сами чипы и информация, зашитая в SPD, у этих разных модулей практически одинаковы. Посмотрим, будет ли отличаться их разгонный потенциал:
Итак, судя по графику, Kingston превосходит по возможностям обычные модули Hynix лишь при работс с CL=2.5. В остальных же режимах потенциал ниже. Поэтому лично я не вижу причин для того, чтобы переплачивать за имя, когда фактически то же самое можно получить, используя самые обычные модули.
Впрочем, Hynix — это лишь один из полюсов на рынке памяти. Сейчас же мы рассмотрим модули, произведенные извечным конкурентом — Samsung.
Модули, попавшие к нам на тестирование, оказались односторонними: все 8 чипов расположены с «лицевой» стороны платы. На этикетке написано, что память работает как PC3200 с CL3, что не является выдающимся результатом. Рассмотрим теперь сами чипы:
Первая строка говорит о том, что выпущены они на 4 неделе 2005 года. Вторая строка маркировки оканчивается символами «UCCC», но судя по информации с сайта производителя, эти модули ничем не отличаются от TCCC. В процессе поиска была найдена новость, в которой говорится о том, что теперь память производится по 90-нм техпроцессу и в качестве примера приводится фото модулей UCCC. Поэтому можно сделать вывод, что символ U обозначает лишь принадлежность к новому техпроцессу. Посмотрим, что записано в SPD:
Мы видим, что производитель не поленился и ввел все данные, даже Part Number. Тайминги ничем особенным не удивляют, поэтому не будем долго их рассматривать и незамедлительно приступим к проверке.
При CL=2 результаты оказались довольно низкими, но при увеличении CL до 2.5 разгонный потенциал существенно возрос. При максимальных таймингах память не добрала лишь 2 МГц до уровня 250 МГц, что соответствовало бы DDR500.
Но у нас еще есть модели, способные побороться за звание «лучших в сегодняшнем обзоре» — Patriot PSD512400
Мы видим, что эти модули упакованы в пластиковые коробочки, защищающие их при транспортировке. Оформление упаковки традиционное, а основное отличие от дорогих модулей заключается в габаритах упаковки. Сами модули выглядят традиционно:
Похожую PCB мы уже видели сегодня — у модулей Apacer. Заметить их сходство удалось благодаря тому, что здесь также были пронумерованы слои текстолита:
Несмотря на то, что пронумерованных слоев всего 4, в описании сказано, что используется 6-слойная PCB. Рассмотрим теперь сами чипы:
Расшифровку маркировки на сайте производителя найти не удалось, поэтому остается предположить, что цифры 0512 означают дату выпуска (12 неделя 2005 года). Теперь посмотрим, что же записал производитель в SPD:
Здесь мы снова видим сходство с Apacer: тайминги, заявленные для частоты 200 МГц, равны 2.5-4-4-8. Таким образом, производитель гарантирует работу на частоте 200 МГц с CL=2.5, что оценят те, кто использует настройки памяти «by SPD». Теперь же посмотрим, на что способны эти модули в действительности:
Тестируемые модули отказывались стартовать с CL=3 на любых частотах. Но ничего страшного в этом нет, тем более что производителем заявлена лишь возможность работы памяти с CL2.5. Разгонный потенциал находится на среднем уровне, поэтому модули производства Samsung превзойти не удалось.
Впрочем, на этом можно было бы закончить, но в самый последний момент появился еще один участник тестирования — Hynix. Первоначально идея заключалась в том, чтобы сравнить модули с «обычными» резисторами и толстопленочными. Это позволило бы оценить, насколько сильно влияют резисторы на разгонный потенциал.
На фотографии видно, что помимо согласующих резисторов, выполненных в виде «дискретных» компонентов, данные модули отличаются и количеством чипов: здесь их 16 — по восемь с каждой стороны. Но, как оказалось, это были еще не все отличия:
Маркировка чипов оказалась другой: вместо HY5DU12822BT мы видим HY5DU56822DT. Таким образом, узнать эффект от влияния резисторов не представляется возможным. Потому проверку мы продолжили исключительно из спортивного интереса.
Информация, записанная в SPD, ничем не удивила: заявленные тайминги полностью совпали с теми, что мы видели у «обычных» Hynix DDR400.
После сорвавшегося сравнения, проверять эту память особого желания не было. Мысленно я уже говорил себе: «Пускай этот модуль разгонится на 5 МГц хуже, что это докажет? Чипы-то разные», но любопытство все равно одолевало. Чтобы не тратить на проверку слишком много времени, было принято решение просто выставить тайминги 2.5-3-3-6 и оценить предельную частоту. Для начала была выставлена частота 216 МГц, я запустил тест и стал ждать отчета об ошибках…
Тест прошел два раза, но ни одной ошибки найдено не было. Частота была увеличена до 225 МГц, и снова тест показал, что память работала стабильно. Не веря до конца в реальность происходящего, мы подняли частоту до 235 МГц — снова ни одной ошибки. Проверку на 240 МГц запускали с замиранием сердца — ведь таких частот не достиг ни один модуль в нашем обзоре. «Не может этого быть» — говорил я себе. «Это слишком высокая частота, сейчас будет уйма ошибок». Но модули памяти не разделяли мой скептицизм и продолжали работать, как ни в чем не бывало. Тестирование, обещавшее стать рутинной проверкой, неожиданно превратилось в увлекательную игру, главная роль в которой была отведена мне.
Увеличение частоты до 250 МГц также не добавило ошибок — память продолжала работать стабильно, а ведь режим работы уже соответствовал DDR500 с таймингами 2.5-3-3-6.
Лишь только на 260 МГц разгонный потенциал иссяк: после проверки TestMem нашел одну(!) ошибку. Троекратный прогон теста на частоте 259 МГц ошибок не выявил, поэтому можно с уверенностью сказать, что данная память займет первое место по результатам тестирования. Итак, результаты проверки перед вами:
Очень хороший потенциал для модулей за $53, но почему же другие модули на чипах Hynix отстали так сильно? На официальном сайте есть документ, с помощью которого можно расшифровать маркировку чипов памяти, но четкого ответа на вопрос, что же означает таинственная буква D в строке » HY5DU56822DT «, он не дает:
Мы видим, что этот символ отвечает за «поколение» чипов, но буквы D в списке нет. Судя по тому, что литера B соответствует 3 поколению, а С — 4 поколению, можно предположить, что D символизирует 5 поколение.
Для наглядности объединим все полученные данные в диаграмму:
Первое место с довольно большим отрывом занимают модули Hynix на чипах HY5DU56822DT, почетное второе место — модули Samsung. Далее плотной группой финишируют сразу несколько участников: Kingston, Hynix на чипах HY5DU12822BT, Patriot, Apacer и с огромным отставанием последнее место занимают модули производства NCP.
Какие же выводы можно сделать?
Во-первых, хотелось бы отметить разгонный потенциал модулей Hynix на чипах HY5DU56822DT — безусловно, конкурировать с модулями на чипах Samsung TCCD они не в состоянии, но в своем ценовом диапазоне они являются лидерами. Во-вторых, не стоит принимать во внимание результат модулей NCP, так как очевидно, что нам попался брак.
Если же попытаться ответить на вопрос «модули какого производителя лучше?», то можно заметить, что имя производителя — это не самое главное. Гораздо важнее то, на каких чипах сделана память. Именно поэтому «безымянный» Hynix сегодня занимает первое место, а Apacer, Patriot и Kingston соревнуются лишь между собой.
Память DDR400 с минимальной латентностью
Память DDR400 (то есть PC3200) начала использоваться в качестве системной для ПК года два назад, однако по-настоящему она расцвела на рынке лишь с утверждением спецификаций в JEDEC и выпуском двухканальных чипсетов Intel серии 875/865 и Nvidia nForce 2 Ultra 400 чуть более года назад. И сегодня уже почти любой ПК немыслим без DDR400, поскольку именно она способна обеспечить необходимый уровень пропускной способности, который требуется большинству современных центральных процессоров вкупе с периферией.
Однако пропускная способность — еще не всё. Часто от подсистемы памяти требуется и малая латентность [Отчасти именно благодаря малым задержкам при работе с памятью встроенного в процессор контроллера платформы на базе AMD Athlon 64 чувствуют себя так уверенно в сравнении с соперниками. Именно ради лучшей латентности Intel ввела в чипсет i875P функцию PAT, а многие производители старались улучшить свои продукты на чипсетах Intel 865 введением недокументированных возможностей снижения латентности чипсета при работе с памятью (так называемый режим «квази-PAT»)]. При работе контроллеров с памятью латентность можно регулировать и при помощи таймингов памяти — определенных отрезков времени, отсчитываемых в тактах сигнала опорной частоты работы памяти, которые задают ключевые интервалы времени между различными операциями при работе с памятью — установкой адреса на шине, чтением, записью и пр [Четырьмя основными таймингами работы памяти DDR SDRAM являются CAS Latency Time (принимает значения 2.0, 2.5 или 3.0 такта), RAS Precharge Delay (Trp = 2, 3 или 4 такта), RAS to CAS Delay (Trcd = 2, 3 или 4 такта) и Active Precharge Delay (Tras = 5, 6, 7 или 8 тактов). За расшифровкой предназначения этих таймингов можно обратиться, например, к статьям на www.terralab.ru/system/28953 и www.terralab.ru/system/21352 ]. Для лучшего быстродействия системы (для меньшей латентности памяти) эти тайминги лучше делать как можно меньше — настолько, насколько позволяет стабильность каждой конкретной системы. Ведь работа памяти с таймингами меньше определенных значений способна привести к сбоям и зависаниям (а то и просто неработоспособности) системы.
Продвинутые пользователи ПК и оверклокеры стараются всеми правдами и неправдами заставить память работать как можно быстрее. В ход идет как тактовая частота, так и тайминги памяти. А производители материнских плат и памяти им в этом потворствуют, позволяя менять значения таймингов в BIOS Setup плат (теперь даже у Intel!) и выпуская модули памяти, способные работать с пониженными таймингами и на повышенных частотах. Для таких пользователей у ряда производителей памяти существуют даже специальные серии модулей с низкой латентностью, среди которых в нашей стране наиболее популярны такие марки как Corsair, Kingston (серия HyperX) и OCZ. Наибольшим «шиком» считается заставить свою систему работать с таймингами 2.0-2-2-5 (Значения таймингов памяти здесь и далее перечислены в том порядке, в котором они названы выше). И именно к этому стремятся, в частности, вышеназванные изготовители модулей.
Таблица. Максимальная частота (в МГц) работы модулей памяти DDR400 при различных напряжениях и таймингах.
Строго говоря, по спецификациям JEDEC модули PC3200 (то есть DDR400) могут иметь значение CL=2.5 или 3.0, а значение 2.0 опциональное — оно выходит за рамки документов JEDEC, хотя и может быть использовано в продукции некоторых вендоров (см. документ JESD79D.pdf). То же самое касается и других таймингов — это, как правило, значения в 3 или 4 такта для RAS Precharge Delay и RAS to CAS Delay и строго 8 тактов для Tras (В соответствии с обновленными спецификациями JEDEC, выпущенными в январе 2004 года, различают три категории DDR400 — это самые быстрые DDR400A (тайминги 2.5-3-3-8), средние DDR400B (тайминги 3-3-3-8) и медленные DDR400C (3-4-4-8), см. документ JESD79D). Поэтому желание выпускать модули DDR400 с «паспортными» значениями таймингов 2.0-2-2-5, вообще говоря, находится в полном (то есть по всем таймингам!) противоречии со спецификациями JEDEC и по этой причине официально такие тайминги никак не могут рекомендоваться к использованию. А грамотные производители (сборщики) компьютеров просто обязаны настроить систему так, чтобы память работала с таймингами, указанными в SPD модулей (Как правило, это 3-4-4-8 для PC3200 и несколько меньше для PC2700). Впрочем, все модули памяти имеют определенный запас устойчивости и позволяют разгонять себя до меньших значений таймингов и больших частот работы. Причем многие современные материнские платы и некоторые модули PC3200 вполне работоспособны при минимальных таймингах памяти 2-2-2-5, хотя ответственность за стабильность работы такой системы целиком перекладывается на ее «настройщика».
Мы решили протестировать некоторые современные «оверклокерские» модули PC3200 на способность работать с таймингами 2.0-2-2-5 на штатных и повышенных частотах. Формальным поводом этому послужил недавний выпуск компанией Kingston (Кстати, Kingston Technology недавно была названа самым крупным независимым (third-party, то есть не производящим чипы памяти) производителем модулей памяти. По данным iSuppli Corportation, компании Kingston сейчас принадлежит 20,9% рынка модулей памяти (см. www.kingston.com/press/2004/corporate/05a.asp). Стартовав с двух сотрудников и 120 тысяч долларов годовых продаж в 1987 году, Kingston выросла до 2000 сотрудников и 1,8 млрд. долларов годовых продаж в 2003 году) новой специализированной серии модулей PC3200 линейки HyperX с ультранизкой латентностью — Ultra Low-Latency, официально рассчитанной на работу по таймингам 2-2-2-5-1(CMD) (См. www.kingston.com/press/2004/memory/07b.asp. Напомним, что обычные нерегистровые «гипериксы» KHX3200 рассчитаны на несколько большие тайминги: 2-2-3-6-1 при питании 2,6 вольт (и 2.5-3-3-7-1 для гигабайтных модулей). А модули серии KHX3500A (DDR434) при таком же питании характеризуются таймингами 2.5-3-3-7-1 для частоты 434 МГц). Эти модули, обозначающиеся суффиксом «UL» (например, KHX3200UL), рассчитаны на напряжение питания 2,7 В, используют традиционные для этой компании алюминиевые радиаторы и выпускаются с емкостью 256 и 512 Мбайт (есть и «парные» наборы для двухканальной работы). Разумеется, цены на них весьма «кусачие» (почти 180 долларов за 512 Мбайт!).
Модули PC3200, предназначенные для работы по таймингам 2-2-2-5, есть и у ряда других именитых производителей. Например, Corsair Memory помимо популярных CMX-3200C2 и CMX-3200LL серии eXtreme Memory Speed (XMS), гарантированно работающих на 400 МГц по таймингам 2-3-3-6 и 2-2-3-6 соответственно (для штатного питания), выпускает и более «продвинутый» их вариант — CMX-3200XL (X-treme Low latency) с таймингами 2-2-2-5 при напряжении питания 2,75 В (Аналогично и для пар модулей TwinX, см. www.corsairmemory.com/corsair/xms.html). Модули оснащены алюминиевым радиатором черного или платинового цвета (между ними и чипами памяти расположена двухсторонняя термолипучка). Жаль, купить их в России не просто, чего не скажешь о достаточно популярных у нас модулях компании OCZ Technology. В арсенале этой компании — целый выводок низколатентных модулей (см. www.ocztechnology.com/products/high_performance ), среди которых, например, OCZ EL DDR PC-3200 с таймингами 2-2-3-6 при питании 2,6 В и OCZ EL DDR PC-3500 Platinum с такими же таймингами, но уже для частоты 433 МГц (питание 2,7 В). Эти и более высокочастотные модули OCZ отлично работают и при меньших таймингах. Если модули Corsair и Kingston имеют радиаторы из алюминия, то OCZ — из меди (иногда с «золотым» или «платиновым» покрытием).
В испытаниях приняли участие модули, указанные в таблице [Модули OCZ были предоставлены компанией «Патриарх»]. Мы использовали материнскую плату ASUS P4P800-E на чипсете Intel 865PE, которая лучше всего подходит для разгона по частоте и таймингами (Для чистоты эксперимента вся периферия платы, кроме дискового контроллера, дезактивировалась. Тесты на стабильность системы при экстремальных настройках проводились под Microsoft Windows XP Professional Service Pack 1 запуском специально подобранного архивирования в WinRAR и ряда ресурсоемких приложений трехмерной графики) и позволяет менять напряжение питания памяти в диапазоне от 2,55 до 2,85 В с шагом 0,1 В (Напомню, что согласно спецификациям JEDEC, штатным напряжением питания DDR400 является 2,6 В, а максимальным — 2,7 В).В таблице указана максимальная частота, при которой модули успешно прошли стресс-тесты при различных настройках напряжения и таймингов (При более высокой, чем указано в таблице, частоте работа модулей была нестабильна (наблюдались сбои) либо вообще невозможна. Заметим, что эти результаты относятся только к тем конкретным экземплярам модулей, которые побывали на наших испытаниях, и ни в коем случае не претендуют на все изделия этих производителей с указанной выше маркировкой. Тем не менее, поскольку нынешние технологии и изделия микроэлектроники, как правило, вылизываются «под завязку», наши цифры помогут дать представление о средних возможностях большинства однотипных. Делать на порядок большую выборку мы считаем принципиально бессмысленным, а тестировать 500-1000 модулей каждого производителя из разных партий — невозможным по вполне понятным причинам. Так что придется довольствоваться теми результатами, что мы имеем).
Новые модули Kingston HyperX KHX3200UL действительно лучше других участников данного сравнения оптимизированы для работы с минимальными таймингами (2-2-2-5) при штатном напряжении питания (2,6-2,7 вольт). Вместе с тем, при повышенном напряжении и не самых минимальных таймингах они уже уступают оверклокерским модулям других производителей: так, «планки» от OCZ обошли всех при работе по 2-2-2-5 и 2-2-3-5 на повышенном до 2,8 В напряжении, а модули Corsair CMX256A-3200C2 новой ревизии 4.1 показали выдающиеся результаты с таймингами 2.5-3-3-6 и 2.5-4-4-8, разогнавшись до 500 МГц. Что касается того, насколько те или иные тайминги влияют на быстродействие системы в различных приложениях, то это мной уже рассматривалось ранее (см., например, два линка в сноске 2) и при определенных условиях разрыв для разных настроек памяти может доходить до 10% (а в среднем составляет 2-4%).